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NTMS5838NL
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1200
6
1000
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
Q T
800
C iss
4
Q GS
Q GD
600
400
2
200
0
0
C rss
C oss
10
20
30
40
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V GS = 10 V
I D = 7 A
T J = 25 ° C
8 9
10
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
100
V DS = 20 V
I D = 7 A
V GS = 4.5 V
12
10
8
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
t d(on)
6
10
t d(off)
t f
4
2
1
1
10
100
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
20
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 20 A
10
1
1 ms
15
0.1
0.01
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
10 m s
100 m s
10 ms
dc
10
5
0.001
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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